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半導體工程
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97年 - 97 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40290
> 申論題
七、請說明磊晶與鍍膜之差異。（10 分）
相關申論題
一、請分析一原子半徑為 0.225 nm 且具面心結構之晶體（設原子為硬球體），其⑴ 該 晶體之原子體積密度為何？⑵ 相鄰(110)平面間之距離；⑶ 原子在(110)面上之表面 密度。（15 分）
#123346
二、請以能帶圖說明何種情況金屬與 p-type 半導體將有機會形成歐姆接觸。（10 分）
#123347
三、何謂穿隧二極體（tunnel diode）？試繪出其能帶圖並說明電流-電壓之關係。（15 分）
#123348
四、請說明發光二極體之工作原理，並說明如何提升其發光效率。（10 分）
#123349
五、請說明愛因斯坦關係式為何？何謂載子漂移率？其單位為何？（20 分）
#123350
六、以 n-type Si 為基板，請說明形成 pn 接面之步驟。（20 分）
#123351
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
#560349
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