三、圖二為一個 NMOS 場效電晶體（FET）電路，電晶體 Q1、Q2 與 Q3 的參數 如下：所有電晶體的 kn' = μnCox = 500 μA/V2，Vtn = 0.5 V，λ1 =λ2 = λ3 = 0， L1 = L2 = L3 = 0.5 μm，W1 = 2 μm，W2 = W3 = 10 μm。當 IREF = 50 μA 時， R 值為何？IREF = 50 μA 時，同時計算 V1、V2、V3 與 I2。（25 分）
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三、圖二為一個 NMOS 場效電晶體（FET）電路，電晶體 Q1、Q2 與 Q3 的參數 如下：所有電晶體的 kn' = μnCox = 500 μA/V2，Vtn = 0.5 V，λ1 =λ2 = λ3 = 0， L1 = L2 = L3 = 0.5 μm，W1 = 2 μm，W2 = W3 = 10 μm。當 IREF = 50 μA 時， R 值為何？IREF = 50 μA 時，同時計算 V1、V2、V3 與 I2。（25 分）