阿摩線上測驗
登入
首頁
>
電子元件
>
107年 - 107 高等考試_二級_電子工程:電子元件#72464
> 申論題
三、長 通 道 n-MOSFET 在 V
GS
>V
T
時的電流 - 電壓關係是
,在 V
GS
<V
T
時的電流-電壓關係是
。列出四種以電流-電壓關係萃取 MOSFET V
T
的方法,並說明之。(20 分)
相關申論題
⑴分析 pn 接面順偏電流-電壓特性時,會假設在空乏區之外的是準中性 區(quasi-neutral region, QNR)。說明此區域的特性。(10 分)
#295006
⑵若不假設上述區域是中性區,該如何分析 pn 接面的順偏電流-電壓特 性?(10 分)
#295007
二、雙擴散 npn-BJT 的摻雜濃度分布如下圖所示,說明基極區濃度分布對元 件特性的影響。(20 分)
#295008
四、要提高接面型場效電晶體(JFET)的夾斷電壓(pinch-off voltage)該如 何設計元件?(20 分)
#295010
五、一個 n-MOSFET 操作在飽和區時,其本身包含了那些寄生的被動元件和 主動元件?逐一說明這些寄生元件在結構上的位置和操作狀態。(20 分)
#295011
五、說明短通道效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體的⑴導通電流();⑵截止電流();⑶臨界電壓();⑷次臨界擺幅(SS);以及⑸汲極導致位障下降(DIBL)之影響。
#554264
四、雙極性接面電晶體(BJT)依據集極–基極接面(當成 x 軸)與射極–基極接面(當成 y 軸)的電壓極性,可以分為四種操作模式,分別是⑴飽和 (Saturation)、⑵順向主動(Active)、⑶截止(Cutoff)、以及⑷反轉主動(Inverted)模式。以 pnp 雙極性接面電晶體為例,在 x–y 平面上,以四種象限,寫出上述四種操作模式下的接面極性,畫出基極區少數載子分布圖,並說明之。
#554263
(二)詳述此量子侷限效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET) 臨界電壓之影響。
#554262
(一)從古典以及量子力學觀點畫出電子濃度從絕緣體 – 半導體界面深入半導體基底的分布圖,並說明之。
#554261
(三)以中性 p 區的零電位作為參考點(在距離 x = 0 的電位為零)繪出其電位分布圖,於圖上標示內建電位,寫出電位隨 x 變化之式子。
#554260
相關試卷
114年 - 114 高等考試_二級_電子工程:電子元件#131605
114年 · #131605
113年 - 113 高等考試_二級_電子工程:電子元件#123063
113年 · #123063
112年 - 112 高等考試_二級_電子工程:電子元件#116767
112年 · #116767
111年 - 111 高等考試_二級_電子工程:電子元件#111039
111年 · #111039
110年 - 110 高等考試_二級_電子工程:電子元件#101946
110年 · #101946
109年 - 109 高等考試_二級_電子工程:電子元件#91525
109年 · #91525
107年 - 107 高等考試_二級_電子工程:電子元件#72464
107年 · #72464
103年 - 103 高等考試_二級_電子工程:電子元件#43106
103年 · #43106
102年 - 102 高等考試_二級_電子工程:電子元件#44031
102年 · #44031
99年 - 99 高等考試_二級_電子工程:電子元件#46323
99年 · #46323