五、一個 n-MOSFET 操作在飽和區時，其本身包含了那些寄生的被動元件和主動元件？逐一說明這些寄生元件在結構上的位置和操作狀態。（20 分）

四、雙極性接面電晶體（BJT）依據集極–基極接面（當成 x 軸）與射極–基極接面（當成 y 軸）的電壓極性，可以分為四種操作模式，分別是⑴飽和（Saturation）、⑵順向主動（Active）、⑶截止（Cutoff）、以及⑷反轉主動（Inverted）模式。以 pnp 雙極性接面電晶體為例，在 x–y 平面上，以四種象限，寫出上述四種操作模式下的接面極性，畫出基極區少數載子分布圖，並說明之。