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100年 - 100 高等考試_三級_電力工程、電子工程：電子學#45675
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申論題
試卷：100年 - 100 高等考試_三級_電力工程、電子工程：電子學#45675
科目：電子學
年份：100年
排序：0
申論題資訊
試卷：
100年 - 100 高等考試_三級_電力工程、電子工程：電子學#45675
科目：
電子學
年份：
100年
排序：
0
申論題內容
五、圖五所示為CMOS反相器，其中Q
N
與Q
P
之參數
，臨界電壓（threshold voltage）V
tn
= |V
tp
| = V
t
，試推導出此反相器於輸出高電位時之雜訊邊 限（noise margin）NMH與輸出低電位時之雜訊邊限NM
L
。（20 分）
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，臨界電壓（threshold voltage）Vtn = |Vtp| = Vt ，試推導出此反相器於輸出高電位時之雜訊邊 限（noise margin）NMH與輸出低電位時之雜訊邊限NML。（20 分）