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半導體工程
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108年 - 108 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#76899
> 申論題
題組內容
五、具有均勻摻雜陡峭接面(abrupt junction)之 p
+
-n 二極體,請說明如何以 電容-電壓(C-V)量測技術,萃取如下參數:(每小題 5 分,共 10 分)
⑴ n-型區之施體摻雜濃度 N
D
= ?
詳解 (共 1 筆)
詳解
提供者:hchungw
相關申論題
一、⑴請說明什麼是「外質半導體(extrinsic semiconductor)」?(5 分)
#310997
⑵請列舉兩項影響外質半導體導電率(conductivity)之可能因素,並說 明其影響方式。(10 分)
#310998
二、請說明「質量作用定律(mass action law)」之物理意義。(10 分)
#310999
三、⑴漂移(drift)及擴散(diffusion)為半導體中載子傳輸之主要方式,請 分別說明其物理機制。(10 分)
#311000
⑵ 試 列 出 「 愛 因 斯 坦 關 聯 式 ( Einstein relation )」 之 數 學 表 示 式 (mathematical equation) ,並說明其物理意義。(10 分)
#311001
⑴理想之蕭特基能障高度(ideal Schottky barrier height)ΦB0 = ?
#311002
⑵內建電位能障(built-in potential barrier),qVbi = ?
#311003
⑶金屬-半導體接面之最大電場強度|Emax| = ?
#311004
⑵內建電位能障,qVbi = ?
#311006
⑴當逐漸增加汲-源極偏壓,致使電晶體由線性區進入飽和區之汲-源極 電壓 VDS, sat = ?
#311007
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