題組內容
四、金屬鎢（W）與 n-型矽（Si）半導體接面，溫度 T = 300 K，其相關參數如下： 鎢之功函數 Φ m = 4.55 V、n-型矽半導體之摻雜濃度 N D = 10 16 cm -3、 矽之電子親和力 χ = 4.01 V、矽之等效導電帶狀態密度 NC = 2.8 ×1019 cm-3、 矽之介電常數 ε = 11.7 × ε0 = 11.7 × 8.85 × 10-14 F/cm、單位電量 q = 1.6 × 10-19 C、 波茲曼常數（Boltzmann’s constant）k = 8.62 × 10-5 eV/K。試求在零偏壓 情況下：（每小題 5 分，共 15 分）
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