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108年 - 108 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#76899

科目：半導體工程 | 年份：108年 | 選擇題數：0 | 申論題數：14

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (14)

一、⑴請說明什麼是「外質半導體（extrinsic semiconductor）」？（5 分）
⑵請列舉兩項影響外質半導體導電率（conductivity）之可能因素，並說 明其影響方式。（10 分）
二、請說明「質量作用定律（mass action law）」之物理意義。（10 分）
三、⑴漂移（drift）及擴散（diffusion）為半導體中載子傳輸之主要方式，請 分別說明其物理機制。（10 分）
⑵ 試 列 出 「 愛 因 斯 坦 關 聯 式 （ Einstein relation ）」 之 數 學 表 示 式 （mathematical equation） ，並說明其物理意義。（10 分）
⑴理想之蕭特基能障高度（ideal Schottky barrier height）ΦB0 = ？
⑵內建電位能障（built-in potential barrier），qVbi = ？
⑶金屬-半導體接面之最大電場強度|Emax| = ？
⑴ n-型區之施體摻雜濃度 ND = ？
⑵內建電位能障，qVbi = ？ 
⑴當逐漸增加汲-源極偏壓，致使電晶體由線性區進入飽和區之汲-源極 電壓 VDS, sat = ？
⑵已知汲極飽和電流 ID（sat）= 4 mA，試求電晶體之通道寬度 W = ？
⑴試求 1 莫耳（mole）矽及 1 莫耳二氧化矽所占的體積分別為？
⑵如欲成長厚度為 100 nm 之二氧化矽層膜，需消耗矽之厚度為？