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申論題資訊

試卷:102年 - 102 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39522
科目:半導體工程
年份:102年
排序:0

題組內容

五、在熱氧化製程中,分析發現氧化物厚度 xox 與氧化時間 t 之間的關係為下列的二次方 程式: 

申論題內容

⑴在剛開始氧化的初期,求氧化物厚度 xox =?(表示為 t 之函數)(5 分)