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103年 - 103 原住民族特種考試_三等_電力工程:電子學#43244
> 申論題
題組內容
三、如圖之電路,r
o
可忽略,偏壓電流 I
D
= 2 mA,且 g
m
= 2 mA/V,另外 R
1
= 20 kΩ, R
2
=10 kΩ,C
1
= C
2
= 10 µF,求:
⑴本電路之中帶增益(midband gain)A
M
;(8 分)
相關申論題
⑵低截止頻率(lower 3dB frequency)fL。(12 分)
#138662
⑴雜訊邊限(noise margins);(6 分)
#138664
⑵其轉換過渡區(transition region)之寬度;(6 分)
#138665
⑶假設最小雜訊邊限(minimum noise margins)是 1 V,請問 VDD 為多少?(8 分)
#138666
(二) = 5 V , = 0 V 時, =?
#561019
(一) = 0 V 時, ?
#561018
四、圖四為一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路,電路中 npn BJT 電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下 :β1=β2 = 100 , = 10 mA/V , = 10 kΩ , = ∞ 。 電路中 , = 20 kΩ , = 20 kΩ , R1 = 2 kΩ , R2= 18 kΩ 。請計算:電壓增益 、輸入電阻 與輸出電阻 。
#561017
(二)零點(Zero)頻率。
#561016
(一)上 3 dB 頻率。
#561015
(二)當= 0.7 V (EB 接面順向偏壓)且= 0.4 V 時,電晶體 Q1 會進入 飽和模式(Saturation Mode) ,若要讓 Q1 保持在主動模式(Active Mode) , 請問 的最大值為何?
#561014
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