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電子學
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100年 - 100 身心障礙特種考試_三等_電力工程、電子工程：電子學#46156
> 申論題
題組內容
四、分析圖⑶之電路，若MOSFET之轉導增益(g
m
)為 10 mA/V，且操作在飽和區，忽略 其輸出阻抗(r
o
)，V
b
為直流偏壓。
⑴試求放大器之輸入阻抗R
i
。（10 分）
相關申論題
⑴試求 R1。
#156894
⑵若電路之直流小信號增益大小為 20 dB，試求 R2。
#156895
⑴試求Vo/Ii之直流小信號增益。（10 分）
#156896
⑵試求Vo/Ii之 3dB 頻寬。（10 分）
#156897
⑴試繪出其增益響應 |T(jω)| 之波德圖（Bode plot）。（10 分）
#156898
⑵試求其低頻 3 dB 頻率點。（10 分）
#156899
⑵試求Vo/Ii＝？（10 分）
#156901
五、已知電阻 R 值遠大於場效電晶體之導通電阻，試描述圖⑷(a)與圖⑷(b)邏輯電路之 布林函數。（20 分）
#156902
6. 已知下圖疊接放大電路之MOSFET參數K₁=K₂=0.5mA/V²，靜態汲極電流ID為0.5mA，則電路之gm為？
#566892
5. 如圖所示電路，Vi=3.77cos377tV，R=100kΩ，C=1μF，電容電壓初值為零，則輸出電壓Vo為？
#566891
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