題組內容
一、圖一為類似 NMOS(Pseudo NMOS)邏輯電路,已知 VDD = 2.5 V,當 vI = vH 時, Q2(NMOS)的 VDS2 = 0.2 V,且此電路最大消耗功率為 PDD = 0.20 mW;Q1(PMOS) 的 互 導 參 數 ( transconductance parameter )
, 臨 界 電 壓 ( threshold V voltage)VTP = −0.6 V;Q2(NMOS)的互導參數
,臨界電壓 VTN = 0.6 V:
, 臨 界 電 壓 ( threshold V voltage)VTP = −0.6 V;Q2(NMOS)的互導參數
,臨界電壓 VTN = 0.6 V: