申論題

一、圖一為類似 NMOS（Pseudo NMOS）邏輯電路，已知 V_DD = 2.5 V，當 v_I = v_H 時， Q₂（NMOS）的 V_DS2 = 0.2 V，且此電路最大消耗功率為 P_DD = 0.20 mW；Q₁（PMOS）  的 互 導 參 數 （ transconductance parameter ） ， 臨 界 電 壓 （ threshold V voltage）V_TP = −0.6 V；Q₂（NMOS）的互導參數  ，臨界電壓 V_TN = 0.6 V： 

⑵當 v_I = v_H 時，Q₂（NMOS）操作在什麼區域？為什麼？  （5 分）