⑶若⑵所獲得的汲極（drain）電流為 0.4 mA，就 V_D = -20 mV 以及 V_D = -2 V 的條件分別求汲極（drain）電流 ID。（10 分）

一、一個 P-MOSFET，臨界電壓（threshold voltage）V_tp = -0.8 V，源極（source）接地。