題組內容

一、如圖一的電路，其中電晶體之β=100，導通時之 VBE(on) = 0.7 V，飽和之 VCE(sat) = 0.3 V。 VCC = 10 V，RB = 50 kΩ，RC = 1 kΩ：（每小題 10 分，共 20 分）

(一)求在圖一（a）電路中之 VI 值，恰使電晶體工作在主動模式（active-mode）與飽 和模式（saturation-mode）之交界處。

詳解 (共 1 筆)

詳解 提供者：fishbaba4
Ic<βIb 飽和區 Ic=Vcc-Vce/Rc=10-0.3/1k=9.3mA Ib=9.3/100=93uA Ib=Vi-VBE/Rb=Vi-0.7/50k=93u Vi-0.7=4.65 Vi=5.35