18.設下圖中所有MOSFET均工作在飽和區,其基體(body)均連在VDD, 電晶體參數為 , 元件尺寸為、(W/L)3=20。忽略通道長度調變效應及基體效應,請求出此差動放大器之交流小信號電壓增益(V/V)。
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元件尺寸為
、(W/L)3=20。忽略通道長度調變效應及基體效應,請求出此差動放大器之交流小信號電壓增益(V/V)。