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研究所、轉學考(插大)◆電子學
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110年 - 110台灣聯合大學系統_碩士班招生考試_電機類:電子學#104970
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申論題
試卷：110年 - 110台灣聯合大學系統_碩士班招生考試_電機類:電子學#104970
科目：研究所、轉學考(插大)◆電子學
年份：110年
排序：0
申論題資訊
試卷：
110年 - 110台灣聯合大學系統_碩士班招生考試_電機類:電子學#104970
科目：
研究所、轉學考(插大)◆電子學
年份：
110年
排序：
0
申論題內容
9,設下圖中所有MOSFET均工作在飽和區·其参數為
、
.元件尺寸為(W/L)
1
=I、(W/L)
2
=20、 (WIL)
3
=5;請求山交流小信號電壓增益V/V)。
ff
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、
.元件尺寸為(W/L)1=I、(W/L)2=20、
(WIL)3=5;請求山交流小信號電壓增益V/V)。
ff