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研究所、轉學考(插大)◆電子學
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110年 - 110台灣聯合大學系統_碩士班招生考試_電機類:電子學#104970
> 申論題
9,設下圖中所有MOSFET均工作在飽和區·其参數為
、
.元件尺寸為(W/L)
1
=I、(W/L)
2
=20、 (WIL)
3
=5;請求山交流小信號電壓增益V/V)。
ff
相關申論題
1.一運算放大器(OP)電路如下,其OP具有理想特性,R1=10kΩ，R2=1kΩ， 求其差動增益(differentialgain)Ad=?(答案必須標示正負號)
#445207
2.左下圖中的運算放大器為理想,輸出訊號與時間的關係圖如右下圖所示。在R1=30kΩ:C1=50nF下=2msec 時,求出输入端的電壓值
#445208
5.請求出下圖中流入阻R1的電流,圖中二極體D1、D2、D3的值分別為 ,R1=5k,熱電壓V=25mV。 (答案必須標示單位,至小數點以下二位)
#445211
10。如下圖所示由三級類比反向器所構成之三级振盪器,如不考虑通道長度 調變效應(Channel Length Modulation Effect)每級之, 三級振盪器之振盪角頻率(rad/s)為何?
#445216
12.一变極接面電晶體電流鏡(cuentmirror電路如下圖, ,求I。(答案必須標示單位)
#445218
13.一雙極接面电晶體电路剧如下,其中β=100,C=∞, 如果小訊號vbe 的限制在5mV,求訊源的最大振幅。 (答案必須標示單位,至小數點以下一位)
#445219
14.下圖中，Q1的电流增益B=100, 設熱電壓;請求出交流小信號的電壓增益(VN)。 (答案必須標示單位,至小數點以下一位)
#445220
15如下圖電路由BJT構成之放大器電路,其中BJT之電流增益β=100, 之壓降為0.7V,若且, 此BJT之轉導(transconductance)為何?
#445221
17.如下圖電路,每一個MOS均操作於飽和區,且該電路原先之差動电壓增益,波德圖有一主極點位於,若將 mA 提升至 2mA,其餘條件均不變,請問修改後的電路差動增益與主極點的值與原電路比較,變化倍率數值為多少?(全對才給分)
#445223
18.設下圖中所有MOSFET均工作在飽和區,其基體(body)均連在VDD, 電晶體參數為 , 元件尺寸為、(W/L)3=20。忽略通道長度調變效應及基體效應,請求出此差動放大器之交流小信號電壓增益(V/V)。
#445224
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.元件尺寸為(W/L)1=I、(W/L)2=20、
(WIL)3=5;請求山交流小信號電壓增益V/V)。
ff
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.元件尺寸為(W/L)1=I、(W/L)2=20、
(WIL)3=5;請求山交流小信號電壓增益V/V)。ff