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103年 - 103 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#43459
科目:
電子學 |
年份:
103年 |
選擇題數:
0 |
申論題數:
8
試卷資訊
所屬科目:
電子學
選擇題 (0)
申論題 (8)
一、試畫出一互補式金氧半場效電晶體(CMOS)之剖面圖(cross-section),請清楚標 示所使用之各項半導體物質與節點名稱,並解釋源極(Source)與汲極(Drain)之 間通道長度調變效應發生之原因。(20 分)
【已刪除】二、如圖一所示電路,所有 MOSFET 的轉導(transconductance)等於 g
m
,輸出電阻皆 為 r
o
,試推導圖一中之輸出電阻 R
out
=?(20 分)
⑴試計算直流集極電流及集極電壓。(10 分)
⑵畫出此放大器之小訊號等效電路圖。(10 分)
⑶求出放大器電壓增益 v
o
/ v
i
=?(10 分)
⑴忽略寄生電容,試求放大器之電壓增益 v
o
/ v
i
=?(10 分)
⑵使用米勒定理,計算此放大器之高頻 3 dB 頻率 f
H
。(10 分)
⑶使用開迴路時間常數法,計算此放大器之高頻 3 dB 頻率 f
H
。(10 分)