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103年 - 103 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程：電子學概要#43459

科目：電子學 | 年份：103年 | 選擇題數：0 | 申論題數：8

試卷資訊

所屬科目：電子學

選擇題 (0)

申論題 (8)

一、試畫出一互補式金氧半場效電晶體（CMOS）之剖面圖（cross-section），請清楚標 示所使用之各項半導體物質與節點名稱，並解釋源極（Source）與汲極（Drain）之 間通道長度調變效應發生之原因。（20 分）
【已刪除】二、如圖一所示電路，所有 MOSFET 的轉導（transconductance）等於 gm，輸出電阻皆 為 ro，試推導圖一中之輸出電阻 Rout =？（20 分） 
⑴試計算直流集極電流及集極電壓。（10 分）
⑵畫出此放大器之小訊號等效電路圖。（10 分）
⑶求出放大器電壓增益 vo / vi =？（10 分） 
⑴忽略寄生電容，試求放大器之電壓增益 vo / vi =？（10 分）
⑵使用米勒定理，計算此放大器之高頻 3 dB 頻率 fH。（10 分）
⑶使用開迴路時間常數法，計算此放大器之高頻 3 dB 頻率 fH。（10 分）