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103年 - 103 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程：電子學概要#43459
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申論題
試卷：103年 - 103 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程：電子學概要#43459
科目：電子學
年份：103年
排序：0
申論題資訊
試卷：
103年 - 103 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程：電子學概要#43459
科目：
電子學
年份：
103年
排序：
0
題組內容
四、圖三所示放大器電路中，MOSFET 電晶體製程參數如下：k
n
’ = μ
n
C
ox
= 800 μA/V
2
， k
p
’ = μ
p
C
ox
= 450 μA/V
2
，輸出電阻 r
o
為 200 kΩ；所有的電晶體尺寸 W/L = 10， I
REF
= 100 μA。假設 M
1
的內部寄生電容 C
gs
= 20 f F ，C
gd
= 5 f F ，負載電容 C
L
= 25 f F 且 C
L
已涵蓋 M
2
所引入之所有寄生電容，R
sig
= 10 kΩ。
申論題內容
⑴忽略寄生電容，試求放大器之電壓增益 v
o
/ v
i
=？（10 分）
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