42. 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT，下列敘述何者正確？
(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)
(B)降低源極(Source)區域的濃度(ND)
(C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)
(D)降低閘極(Gate)區域的phpubZ3ZT.png ：矽氧化層的permittivity；phpYBZN7g.png ：矽氧化層厚度)

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統計： A(8), B(17), C(5), D(5), E(0) #1537239

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#5193414

降低基體(Substrate)的濃度(NA)有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT

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