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試卷名稱：105年 - 105 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(乙)：2.電子學#71776
年份：105年
科目：國營事業◆1.計算機概論 2.電子學
42. 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT，下列敘述何者正確？
(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)
(B)降低源極(Source)區域的濃度(ND)
(C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)
(D)降低閘極(Gate)區域的
：矽氧化層的permittivity；
：矽氧化層厚度)