21. 若A為MSB，D為LSB，下列敘述，何者錯誤？
(A)
(B)
(C)
(D)

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相關試題

1. 以下對單相三線式(1ψ3W)配電系統之敘述何者正確？ (A)當負載不平衡時，中性線會有電流流過，因此中性線必須裝過載斷路器。 (B)當在相同的距離內傳送相同的負載功率，且電力損失相同時，單相三線式（1ψ3W）的用銅量為單相二線式（1ψ2W ）的二分之一。 (C)當使用相同的導線，在相同的距離內傳送相同的負載功率時，單相三線式（1ψ3W）的線路電壓降為單相二線式（1ψ2W）的八分之三。 (D)當使用相同的導線，在相同的距離內傳送相同的負載功率時，單相三線式（1ψ3W）的電力損失為單相二線式（1ψ2W）的四分之一。

2. 有一濾波器之轉移函數為，其中 a, b, c 皆不為零之實數，則下列敘述何者正確？ (A)此為二階帶通濾波器 (B)此為二階低通濾波器 (C)此為二階高通濾波器 (D)此為二階全通濾波器。

3. 下列關於CMOS反相器的敘述何者錯誤？ (A)輸入時，PMOS工作於截止區， NMOS工作於三極體區(歐姆區) (B)輸入 0V 時，PMOS工作於三極體區（歐姆區），NMOS工作於截止區 (C)動態消耗功率為輸入信號之頻率、 C L 為輸出端之負載電容、為電源電壓 (D)輸入信號為穩態時，消耗功率最小。

4. 欲使各種N通道場效電晶體（JFET、DMOSFET、EMOSFET）之集極電流可正常操作（ID＞0），下列敘述何者正確？ (A)皆須大於零 (B)皆須小於零 (C)-VP及皆需小於零 (D)皆需大於零。

5. 如下圖所示為某變壓器耦合串級放大電路之頻率響應圖，試問下列何者敘述正確？ (A)變壓器線圈阻抗造成高頻衰減 (B)線路之雜散電容造成低頻衰減 (C)電晶體之用極際電容造成低頻衰減 (D)變壓器線圈寄生電容造成高頻衰減。

6. 理想雙極性接面電晶體（BJT）及金氧半場效應電晶體（MOSFET）當作開關使用時，下列敘述何者正確？ (A)金氧半場效應電晶體（MOSFET）為導通（ON）時，工作於飽和區 (B)金氧半場效應電晶體（MOSFET）為截止（OFF）時，工作於飽和區 (C) 雙極性接面電晶體（BJT）為截止（OFF）時，工作於截止區 (D)雙極性接面電晶體（BJT）為導通（ON）時，工作於截止區。

7. 因輸出電壓變化影響之金氧半場效應電晶體（MOSFET）通道長度調變特性稱為 (A)電磁感應 (B)壓電效應 (C)爾利效應 (D)電流調變。

8. 如下圖所示之電路，下列敘述何者錯誤？ (A)Vo 波形為弦波 (B)RF ≥ 29R電路才會穩定振盪 (C)振盪頻率 (D)振盪原理為巴克豪森準則。

9. 如下圖所示為以三用電表量測TTL邏輯閘之電流的接法，試問這樣的接法是測量邏輯閘的何種電流值？ (A)高準位輸出電流 (B)低準位輸出電流 (C)高準位輸入電流 (D)低準位輸入電流。

10. 關於資料匯流排結構的敘述，下列何者錯誤？ (A)是一組連接的導線 (B)能夠同時有兩組或兩組以上的資料同時匯入匯流排 (C)匯流排導線數量會影響資料處理速度 (D)所有欲將資料傳送到匯流排的元件都需有三狀態結構。

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