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試題詳解

試卷:111年 - 111 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_從業評價職位人員/電氣、電子電機_專業科目1:電子學#120613 | 科目:電子學

試卷資訊

試卷名稱:111年 - 111 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_從業評價職位人員/電氣、電子電機_專業科目1:電子學#120613

年份:111年

科目:電子學

20. 在 P 通道電晶體 MOSFET 如【圖 20】所示,下列敘述何者正確?
(A) 必須在柵極(gate, G)施加較源極(source, S)正電壓,才會進入飽和區
(B) P 通道內負責主要導電的電荷載體為電子
(C) P 通道內負責主要導電的電荷載體為正電的電子
(D) P 通道內負責主要導電的電荷載體為電洞

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詳解 (共 1 筆)

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未解鎖
題目解析 本題主要考察 P 通道 MO...
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