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初等/五等/佐級◆電子學大意
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99年 - 99 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#38796
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
99年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 如圖所示電路，若電晶體飽和之V
CE sat
＝0.2 V，IR
L
＜V
CC
－0.2 V，則輸出電壓υO之最負值υ
O min
為：
(A)-V
CC
+2 V (B)-V
CC
(C)-V
CC
－0.2 V (D)- I•RL
2 如圖所示電路若為帶通濾波器（Band Pass Filter），則下列那一項R
1
、R
2
、C
1
、C
2
組合之設計值錯誤？
(A)R
1
＝1 kΩ，C
1
＝0.01 μF，R
2
＝2 kΩ，C
2
＝0.1 μF
(B)R
1
＝2 kΩ，C
1
＝0.01 μF，R
2
＝1 kΩ，C
2
＝0.1 μF
(C)R
1
＝1 kΩ，C
1
＝0.1 μF，R
2
＝2 kΩ，C
2
＝0.01 μF
(D)R
1
＝5 kΩ，C
1
＝0.1 μF，R
2
＝50 kΩ，C
2
＝0.05 μF
3 如圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，若V
CC
＝5 V且輸入電壓V
A
＝0 V且V
B
＝5 V，則下列敘述何者正確？
(A) Q
2
導通、Q
3
導通、Q
4
不導通、輸出電壓V
O
＝High (B)Q
2
導通、Q
3
導通、Q
4
導通、輸出電壓V
O
＝High (C) Q
2
不導通、Q
3
不導通、Q
4
不導通、輸出電壓V
O
=Low
(D)Q
2
不導通、Q
3
不導通、Q
4
導通、輸出電壓V
O
=Low
4 如圖所示電路，其中R
1
C1＞R
2
C
2
，則A
V
＝V
o
/V
i
的頻率響應圖是下列何者？
5 如圖所示電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12 V、R
1
＝20 kΩ、R
2
＝40 kΩ，當v
I
為 1 V時， 此輸出電壓v
O
為何？ (A)-2 V (B) 2 V (C) 3 V (D) 12 V 或-12 V 皆有可能
6 關於增強型金氧半場效電晶體（MOSFET）之敘述，下列何者錯誤？ (A)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）之轉移電導值（Transconductance）gm較 操作在三極管區（Triode Region）時大 (B)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）時之輸出阻抗ro較操作在三極管 區（Triode Region）時小 (C) N 通道金氧半場效電晶體導通時之閘極電壓比源極電壓高 (D) P 通道金氧半場效電晶體靠電洞導電
7 如圖的電流鏡電路中，電晶體Q
1
、Q
2
具相同特性，其臨限電壓為V
t
。要使輸出電流I
o
最接近I
REF
，則 輸出電壓V
o
應： (A)V
o
＝V
GS
(B)V
o
＝V
t
(C)V
o
＝V
GS
－V
t
(D)V
o
＝V
GS
＋V
t
8－3 8 如圖所示之增強（Enhancement）型金氧半場效電晶體（MOSFET）放大器，已知在工作點的轉移電 導（Transconductance）gm為 1.5 mS，閘源極臨界電壓（Threshold Voltage）V
GS(th)
為 3 V，不考慮接 面場效電晶體的交流輸出阻抗r
d
的影響，則此放大器的電壓增益A
v
(＝V
o
/V
i
)約為多少？ (A) 13.3(B)9.8(C) 6.5 (D) 3.3
9 一個p
+
n接面二極體，其p型側的雜質濃度N
A
，遠大於n型側的雜質濃度N
D
，則在下列四個選項中，那一 項對p
+
n接面二極體的逆向飽和電流I
S
的影響最小？ (A)接面面積 (B)溫度 (C)p型區雜質濃度N
A
(D)n型區雜質濃度N
D
10 圖中電晶體β＝100，V
BE(sat)
＝0.8 V及V
CE(sat)
＝0.2 V，若要使電晶體在飽和區工作，則最大值R
B
約為：
(A) 520 kΩ (B) 430 kΩ (C) 340 kΩ (D) 210 kΩ
11 如圖所示電路，電晶體Qn與Qp具有相同之特性，其臨限電壓V
tn
＝|V
tp
|＝1 V。當輸入電壓V
i
＝2.5 V時， 其輸出電壓Vo為： (A) 5 V (B) 4 V (C) 2.5 V (D) 1 V
12 NAND Flash 記憶體其特性及應用，何者錯誤？ (A)讀取速度比 NOR Flash 快 (B)可儲存大量資料 (C)數位相機 (D) MP3
13 如圖所示之MOS電路，Q
1
、Q
2
及Q
5
為增強型P通道MOSFET，Q
3
、Q
4
及Q
6
為增強型N通道MOSFET ，則輸出Y為：
14 圖中邏輯電路之布林函數為何？
15 關於圖中濾波器，下列敘述何者錯誤？
(A)帶通（Band Pass）濾波器
(B)中心頻率為：
(C)品質因素（Quality Factor，Q）為：
(D)一階濾波器
16 圖示電路為：
(A)單穩態多諧振盪器（Monostable Multivibrator） (B)無穩態多諧振盪器（Astable Multivibrator） (C)比較器（Comparator） (D)雙穩態多諧振盪器（Bistable Multivibrator）
17 如圖所示電路，A
v
＝V
o
/V
i
的頻率響應圖是下列何者？
18 若系統之轉移函數為
，下列敘述何者正確？ (A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)此為帶通濾波器 (D)此為帶拒濾波器
19 如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓為V
1
＝1 mV、V
2
＝1 mV，試求其輸出電壓V
o
應為多少？ (A)-4 mV (B) 4 mV (C)-2 mV (D) 2 mV
20 一電流放大器電路如圖所示，含理想運算放大器，以及電阻R
1
、R
2
、R
L
。令R
2
＝1 kΩ，欲得到電流 增益I
L
/I
IN
＝10，則R
1
電阻值為何？ (A) 100 Ω (B) 900 Ω (C) 9 kΩ (D) 10 kΩ
21 如圖所示為兩級串接RC耦合放大器電路，電晶體Q
1
與Q
2
之參數為V
BE1
＝V
BE2
＝0.7 V，β
1
＝β
2
＝100，又V
cc
＝20 V且R
1
＝R
5
＝4 kΩ，R
2
＝R
6
＝1 kΩ，R
3
＝R
4
＝R
7
＝R
8
＝1 kΩ，當以直流分析此電路時，圖中I
B1
及 I
E2
之電流值約為？
(A)I
B1
＝0.03 mA且I
E2
＝3.2 mA
(B)I
B1
＝0.19 mA且I
E2
＝10 mA
(C)I
B1
＝0.19 mA且I
E2
＝19 mA
(D)I
B1
＝2.2 mA且I
E2
＝10 mA
22 就差動放大器而言，下列何者為最好的共模增益？ (A)-10 (B) 0 (C) 1 (D) 10
23 關於雙極性接面電晶體（BJT）操作在主動區（Forward Active Region）之敘述，下列何者錯誤？ (A)轉移電導增益值與集極電流IC成正比 (B)輸出阻抗r
o
與集極電流I
C
成正比 (C)基極到射極為順偏壓 (D)基極到集極為逆偏壓
24 如圖之MOS電晶體放大器，設電晶體操作於飽和區，其輸出電阻r
o
極大，且轉移電導值
。 則此放大器之小訊號電壓增益V
o
/V
i
約為：
(A)g
m
R
D
(B)-g
m
R
D
(C)R
D
/R
S
(D)-R
D
/R
S
25 下列電路可以做為：
(A)反相電路 (B)緩衝電路 (C)濾波電路 (D)整流電路
26 圖中增強型N通道MOSFET的V
t
＝1 V，且工作點為V
GS
＝4 V，I
D
＝2.5 mA，V
DS
＝5 V，則R
D
及R
S
分 別約為：
(A) 2.5 kΩ、1.2 kΩ
(B) 2.0 kΩ、0.8 kΩ
(C) 1.6 kΩ、0.4 kΩ
(D) 1.0 kΩ、0.2 kΩ
27 當一MOS電晶體操作於飽和模式時，其轉移電導值gm與汲極電流ID的關係是（不考慮短通道效應）：
(A) g
m
∝ I/1
D
(B) g
m
∝ 1/√I
D
(C) g
m
∝√I
D
(D) g
m
∝ I1
D
28 下圖電晶體電路之集極工作電流I
CQ
約為何？
(A) 10 mA (B) 8 mA (C) 2 mA (D) 1 mA
29 在雙極性接面電晶體（BJT）的小訊號模型中，輸出電阻r
o
與集極電流I
c
的關係為：(A)r
o
∝I
c
(B)r
o
∝
(C)r
o
∝√I
c
(D) r
o
與 無關 I
c
30 p
+
n二極體加逆向偏壓時，只有少量的電流存在，主要成因是： (A) n 區內的電洞電流 (B) n 區內的電子電流 (C)p
+
區內的電洞電流 (D)p
+
區內的電子電流
31 如圖所示，通過二極體D
2
的電流約為： (A) 0.5 mA (B) 1.5 mA (C) 2.5 mA (D) 3.5 mA
32 EEPROM 是可由使用者重新程式化（Programming）的 ROM（唯讀記憶體），理想的 EEPROM 可 經多少次重新程式化： (A)僅一次 (B)僅兩次 (C)僅三次 (D)無數次
33 圖中邏輯電路輸出 Y 與輸入 A、B、C 的關係式為：
34 圖為振盪器等效電路，下列敘述何者錯誤？
(A)本電路為科爾皮茲（Colpitts）振盪器 L
(B)g
m
R≧C
2
/C
1
(C)振盪頻率為
(D)產生正弦波
35 一運算放大器的轉換率（Slew Rate）為 31.4 V/μs，輸出一正弦波，其峰至峰（Peak to Peak）振幅為 10 V。則其輸出不會產生失真的最高頻率約為：
(A) 5 MHz (B) 1 MHz (C) 500 kHz (D) 100 kHz
36 如圖所示電路，下列敘述何者錯誤？
(A)此電路為微分器電路 (B)輸出電壓
(C)當輸入電壓V
i
波形為方波，則輸出電壓 波形為三角波 V
o
(D)此電路為高通濾波器
37 如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數β(＝I
c
/I
b
)為 120，以及電晶體集極到 射極的交流輸出阻抗r
o
為 60 kΩ，則此放大器的輸出阻抗Z
o
約為多少？
(A) 2.7 kΩ (B) 60 kΩ (C) 120 kΩ (D) 470 kΩ
38 在下列何者條件下，增強型N通道MOSFET，會有通道產生並使汲極電流I
D
流通（I
D
＞0）？（ V
t
為臨限電壓（Threshold Voltage）） (A)V
DS
＞0，V
GS
＜V
t
(B)V
DS
＞0，V
GS
＞V
t
(C)V
DS
＜0，V
GS
＜V
t
(D)V
DS
＜0，V
GS
＞V
t
複選題
39 圖中R
B
極大，電晶體操作在主動工作區，R
E
＝1 kΩ，RC B ＝8 kΩ，β＝50，其輸入電阻約為何？（中頻 段工作）
(A) 102 kΩ (B) 50 kΩ (C) 58 kΩ (D) 8 kΩ
40 二極體接順向偏壓，且外加電壓大於內建電位（Build-in Potential）時，將： (A)形成大量的順向電流 (B)只有微量之漏電電流 (C)完全沒有電流流通 (D)崩潰
申論題 (0)
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(A)-VCC+2 V (B)-VCC (C)-VCC－0.2 V (D)- I•RL 
(A) 520 kΩ (B) 430 kΩ (C) 340 kΩ (D) 210 kΩ
(A)單穩態多諧振盪器（Monostable Multivibrator） (B)無穩態多諧振盪器（Astable Multivibrator） (C)比較器（Comparator） (D)雙穩態多諧振盪器（Bistable Multivibrator） 
，下列敘述何者正確？ (A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)此為帶通濾波器 (D)此為帶拒濾波器 
。 則此放大器之小訊號電壓增益Vo/Vi約為： 
(A)反相電路 (B)緩衝電路 (C)濾波電路 (D)整流電路 
(C)ro∝√Ic (D) ro 與 無關 Ic
(A) 102 kΩ (B) 50 kΩ (C) 58 kΩ (D) 8 kΩ