11 如圖所示電路，電晶體Qn與Qp具有相同之特性，其臨限電壓Vtn＝|Vtp|＝1 V。當輸入電壓Vi＝2.5 V時，其輸出電壓Vo為： (A) 5 V (B) 4 V (C) 2.5 V (D) 1 V

11 如圖所示電路，電晶體Qn與Qp具有相同之特性，其臨限電壓V_tn＝|V_tp|＝1 V。當輸入電壓V_i＝2.5 V時，其輸出電壓Vo為：
(A) 5 V
(B) 4 V
(C) 2.5 V
(D) 1 V

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統計： A(6), B(2), C(36), D(3), E(0) #1108679

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nba17240

B3 · 2021/09/08

#5076283

Vo=5-2.5=2.5

(共 14 字，隱藏中）

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張育騰(已考上初、普、高考)

B1 · 2016/11/11

#1512332

求解

6 關於增強型金氧半場效電晶體（MOSFET）之敘述，下列何者錯誤？ (A)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）之轉移電導值（Transconductance）gm較操作在三極管區（Triode Region）時大 (B)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）時之輸出阻抗ro較操作在三極管區（Triode Region）時小 (C) N 通道金氧半場效電晶體導通時之閘極電壓比源極電壓高 (D) P 通道金氧半場效電晶體靠電洞導電

11 如圖所示電路，電晶體Qn與Qp具有相同之特性，其臨限電壓V_tn＝|V_tp|＝1 V。當輸入電壓V_i＝2.5 V時，其輸出電壓Vo為：
(A) 5 V
(B) 4 V
(C) 2.5 V
(D) 1 V

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11 如圖所示電路，電晶體Qn與Qp具有相同之特性，其臨限電壓Vtn＝|Vtp|＝1 V。當輸入電壓Vi＝2.5 V時， 其輸出電壓Vo為： (A) 5 V (B) 4 V (C) 2.5 V (D) 1 V

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11 如圖所示電路，電晶體Qn與Qp具有相同之特性，其臨限電壓V_tn＝|V_tp|＝1 V。當輸入電壓V_i＝2.5 V時，其輸出電壓Vo為：
(A) 5 V
(B) 4 V
(C) 2.5 V
(D) 1 V