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6 關於增強型金氧半場效電晶體（MOSFET）之敘述，下列何者錯誤？
(A)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）之轉移電導值（Transconductance）gm較
操作在三極管區（Triode Region）時大
(B)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）時之輸出阻抗ro較操作在三極管
區（Triode Region）時小
(C) N 通道金氧半場效電晶體導通時之閘極電壓比源極電壓高
(D) P 通道金氧半場效電晶體靠電洞導電
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統計： A(12), B(27), C(8), D(2), E(0) #1108674
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