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試題詳解

試卷:110年 - 110台灣聯合大學系統_碩士班招生考試_電機類:電子學#104970 | 科目:研究所、轉學考(插大)◆電子學

試卷資訊

試卷名稱:110年 - 110台灣聯合大學系統_碩士班招生考試_電機類:電子學#104970

年份:110年

科目:研究所、轉學考(插大)◆電子學

複選題
11.以下對雙極接面電晶體(biplarjucosst 哪些是正確的? (可複選,全對才給分)
(A)同一批次製造的不同BJT,其電流增益(currentgain值可能變異很大
(B)基極(base)的寛度或深度(widthordepth)須很厚以得到高電流增益
(C)射極掺雜濃度(dopant concentrationin emtter)很低以得到高電流增益
(D)基極摻雜濃度須很高以得到高電流增益
(E)兩個二極體(diode)反方向連接可以形成BJT的工作特性
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