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試題詳解

試卷:110年 - 110台灣聯合大學系統_碩士班招生考試_電機類:電子學#104970 | 科目:研究所、轉學考(插大)◆電子學

試卷資訊

試卷名稱:110年 - 110台灣聯合大學系統_碩士班招生考試_電機類:電子學#104970

年份:110年

科目:研究所、轉學考(插大)◆電子學

複選題
4.以下對二極體(diode,PNJunction的敘述,哪些是正確的? (可複選,全對才給分)
(A)在空乏區(depletion region)中,P區域的空乏電荷(spacecharge)是正
(B)在空乏區中,N區域的空乏电荷是負的
(C)在二楼體内的擴散電流(diffusioncurent)是由少子(minority carrier)產生
(D)在二極體內的漂移電流(drift current)多數子(majorityc 產生
(E)在二極體內有內建電位(built-involtage),P區域的電位比N區域低
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