15. TESLA Model 3 開啟碳化矽金氧半場效電晶體(SiC MOSFET) 在電動車驅動器的應
用,下列有關該電晶體特性之敘述,何者有誤?
(A)溫度增高時該電晶體的導通電阻變化較傳統 MOSFET 為小;
(B)該電晶體關閉時
不會產生尾電流,因此開關損耗較傳統 IGBT 為小;
(C)該電晶體與傳統 MOSFET 相
比,由於漂移層電阻低,通道電阻高,因此具有驅動電壓(即閘極-源極間電壓 Vgs)
越高,導通電阻越低的特性;
(D)該電晶體與傳統 MOSFET 相比,前者切換頻率較
後者為低