16. 如圖(八)所示之 MOSFET電晶體電路，該電晶體之臨界電壓(threshold voltage )Vt = 4V， 參數K=0.5mA/V 2，電路操作於飽和區工作點之 ID =2mA，則此工作點之 VGS為何？
(A) 8V 
(B) 6V
(C) 4V
(D) 2Vphpy4JVuo

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統計： A(17), B(101), C(33), D(12), E(0) #1788264