2. 如圖 ( 一 ) 所示之 MOSFET 電路，MOSFET 之臨界電壓 ( threshold voltage ) VT = 1.8 V，參數 K = 1.2 mA / V2，已選擇適當之RD使電路操作於飽和區且 ID = 10.8 mA，則 RG1 應…...調整為何？
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(A) 150 kΩ
(B) 180 kΩ
(C) 210 kΩ
(D) 250 kΩ

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統計： A(75), B(16), C(17), D(4), E(0) #2283035

詳解 (共 1 筆)

#4649343

VGS＝4.8V


12     100k

＿ ＝＿＿＿＿＿

4.8    RG1+100K


∴ RG1＝150KΩ

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