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試卷資訊

試卷名稱：109年 - 109 四技二專統測_電機與電子群電機類、電機與電子群資電類_專業科目(一)：電子學、基本電學#85155

年份：109年

科目：統測◆(一)電子學、基本電學

1. 有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區(定電流區)工作，下列敘述何者正確？
(A) V_GS 皆需大於零才可使汲極端流入電流正常操作(I_D＞0)
(B) V_GS 小於零皆可使汲極端流入電流正常操作(I_D＞0)
(C) FET內部通道靠近汲極處形成之通道較窄
(D) FET內部通道靠近汲極處形成之空乏區較窄

正確答案：登入後查看

詳解 (共 1 筆)

陳靜怡

B2 · 2021/04/12

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未解鎖

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