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統測◆(一)電子學、基本電學
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96年 - 96 二技統測_電機類、電子類_專業科目(一):電子學與電路學#19066
> 試題詳解
29. 承第28題,i
S
(0
+
)=?
(A) 2.25mA
(B) 1.75mA
(C) -2.25 mA
(D) -4.5 mA
答案:
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統計:
A(4), B(10), C(3), D(1), E(0) #716648
詳解 (共 1 筆)
咖波貓貓
B1 · 2022/08/12
#5586902
1. 當t=0-時,Vs=-18V,Vc...
(共 171 字,隱藏中)
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相關試題
1. 下列有關半導體特性的敘述,何者正確?(A) 純質(intrinsic)半導體內,自由電子與電洞的濃度不同 (B) n型半導體的導電度主要是由摻入(doping)的原子濃度與電子的移動率(mobility)所決定 (C) p型與n型半導體的接面特性與定值電阻相同 (D) 在純質矽(silicon)晶片內摻入磷(phosphorus)後可產生p型半導體
#716620
2. 下列有關一般二極體特性的敘述,何者有誤?(A) 在順向偏壓區工作時,電流會隨著順向電壓的增加而呈指數性的上升 (B) 在反向偏壓區工作時,反向電流約為很小的定值 (C) 在崩潰區工作時,些許的反向電壓增加會使反向電流迅速增加 (D) p-n接面的電容值會隨反向偏壓之絕對值的增加而變大
#716621
複選題3. 下列有關雙極性接面電晶體(BJT)特性的敘述,何者有誤?(A) BJT是三端元件,有三種工作模式 (B) npn型BJT的反應速度比pnp型BJT慢 (C) BJT在主動區(active region)工作時,可用於小信號放大 (D) BJT可當作數位開關使用
#716622
4. 類比開關(analog switch)的功能是控制類比信號通過或不通過,下列那種半導體元件不適合作為類比開關使用?(A) 二極體 (B) n通道金氧半場效電晶體(NMOS FET) (C) p通道金氧半場效電晶體(PMOS FET) (D) 互補型金氧半場效電晶體(CMOS FET)
#716623
5. 與BJT邏輯電路相比較,下列有關CMOS邏輯電路的特性,何者有誤?(A) 功率損耗較低 (B) 輸入電阻較高 (C) 元件密度較低 (D) 雜訊邊距較大
#716624
6. 如圖(一)所示的電路中,二極體D1和D2的導通電壓均為0.7 V。若V1為-10,則V0為(A) -9.3 V (B) -8.3 V (C) -5.3 V (D) 1.7 V
#716625
7. 如圖(二)所示的電路中,二極體的導通電壓為0.7V。若輸入電壓V1為 ±5 的方波,則輸出方波V0的兩個電位分別為 (A) 0.7 V和10.7 V (B) -0.7 V和10 V (C) -0.7 V和9.3 V (D) -5 V和5 V
#716626
8. 試問集極偏壓電流IC值約為多少?(A) 53mA (B) 63 mA (C) 70mA (D) 80mA
#716627
9. 承第8顯,假設電晶體的集極輸出電阻r0可忽略不計,熱電壓(thermal voltage)為25mV。試問小信號電壓增益約為多少?(A) 101 (B) 50 (C) 10 (D) 1
#716628
10. 圖(四)所示的n通道增強型金氧半場效電晶體(enhancement NMOSFET),其臨界電壓(threshold voltage)Vt=2V。已知其在飽和區工作時(假設通道長度調變效應可以忽絡),4伏特的閘 - 源電壓會產生4毫安培的汲極(drain)電流。試問此電路中的汲極電流ID值為多少毫安培(mA)?(A) 3 (B) 2 (C) 1 (D) 0
#716629
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