30 如圖電路設運算放大器為理想的，若 R1＝R2；R3＝R4，則 Vo/(V2－V1)為： (A) 2 (B) 1 (C) 1/2 (D) 0

30 如圖電路設運算放大器為理想的，若 R1＝R2；R3＝R4，則 V_o/(V₂－V₁)為：

(A) 2
(B) 1
(C) 1/2
(D) 0

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統計： A(1), B(67), C(9), D(14), E(0) #919761

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姜維

B1 · 2017/05/18

#2198014

V1(-R2/R1)=Vo1=V1(V2...

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學覽風采

B2 · 2019/03/23

#3258702

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5 下列有關場效應電晶體的敘述，何者正確？ (A)當閘極電壓超過臨限電壓（threshold voltage），在 p 通道增強型（enhancement type）場效應電晶體中會產生一電洞反轉層（inversion layer） (B) p 通道接面場效應電晶體（JFET），閘極是 p 型材料所製成 (C)要使 p 通道增強型場效應電晶體導通，所加在閘極的電壓必需是正的而且要大於臨限電壓 (D)當 VGS＝0 時，p 通道接面場效應電晶體是不導通的

30 如圖電路設運算放大器為理想的，若 R1＝R2；R3＝R4，則 V_o/(V₂－V₁)為：

(A) 2
(B) 1
(C) 1/2
(D) 0

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