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統測◆(一)電子學、基本電學
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113年 - 113 四技二專統測_電機與電子群電機、電資類_專業科目(一):基本電學、基本電學實習、 電子學、電子學實習#119627
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試題詳解
試卷:
113年 - 113 四技二專統測_電機與電子群電機、電資類_專業科目(一):基本電學、基本電學實習、 電子學、電子學實習#119627 |
科目:
統測◆(一)電子學、基本電學
試卷資訊
試卷名稱:
113年 - 113 四技二專統測_電機與電子群電機、電資類_專業科目(一):基本電學、基本電學實習、 電子學、電子學實習#119627
年份:
113年
科目:
統測◆(一)電子學、基本電學
32. 下列有關電晶體之敘述,何者正確?
(A) P通道MOSFET之汲極為P型半導體,源極亦為P型半導體
(B) N通道MOSFET之汲極為N型半導體,源極為P型半導體
(C) 增強型MOSFET已預置通道於汲、源極間,閘極不加電壓時汲、源極為導通狀態
(D) BJT與FET電晶體之結構均含P型半導體與N型半導體,均為雙載子傳導元件
正確答案:
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