試題詳解

44. 如圖所示為 CMOS 反相器電路，V_DD = +5V ，假設 MOSFET 的臨界電壓分別為 V_TN =1V、V_TP = -1V ， K_N = 0.6mA/V₂、KP = 0.2mA/V²。試問當輸入電壓 V_i為 5V 時，EPMOS 與 ENMOS 分別工作於何區域？

(A) EPMOS：飽和區；ENMOS：飽和區
(B) EPMOS：歐姆區；ENMOS：歐姆區
(C) EPMOS：截止區；ENMOS：歐姆區
(D) EPMOS：歐姆區；ENMOS：截止區。