9. 關於電動車用功率半導體元件特性，下列敘述何者有誤？
(A) IGBT 為電壓控制；
(B) MOSFET 屬電壓控制；
(C) BJT、IGBT、MOSFET 等導通 時，其洩漏電流均很小；
(D) BJT、IGBT、MOSFET 等均屬電流控制開關

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統計： A(24), B(28), C(61), D(289), E(0) #2551416

詳解 (共 1 筆)

#5008755
BJT 為電流控制元件 IGBT、MO...
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