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申論題資訊

試卷:107年 - 107 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#71146
科目:半導體工程
年份:107年
排序:0

題組內容

三、假設在一半導體中之載子傳輸以漂移(drift)為主要機制:

申論題內容

⑴請說明「載子遷移率(carrier mobility, μ)」之物理意義?(10 分)

詳解 (共 1 筆)

詳解 提供者:hchungw

漂移速度

電子移動率(英語:electron mobility)是固態物理學中用於描述金屬半導體內部電子,在電場作用下移動快慢程度的物理量。在半導體中,另一個類似的物理量稱為電洞遷移率hole mobility)。人們常用載子遷移率carrier mobility)來指代半導體內部電子和電洞整體的運動快慢。


漂移速度 - 維基百科,自由的百科全書 (wikipedia.org)漂移速度(Drift Velocity),是指一個粒子(例如電子)因為電場的關係而移動的平均速度

實際上,當沒有電場存在,導體中的電子費米速度作隨機移動。

電場使這個隨機運動過程獲得單一方向的淨速度

因為電流漂移速度正比,經多番推導後可得出其量值亦和電場量值成正比例,當中的推導過程可以歐姆定律解釋。

漂移速度可以用以下公式表達: