申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：107年 - 107 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#71146
科目：半導體工程
年份：107年
排序：0

申論題內容

六、請分別說明：短通道效應（short-channel effect）及窄通道效應（narrow-channel effect），對於金屬-氧化物-半導體場效電晶體（MOSFET）臨界電壓（threshold voltage, V_T）之影響？（10 分）

詳解 (共 1 筆)

詳解提供者：hchungw

短通道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾奈米、甚至幾奈米量級時，電晶體出現的一些效應。這些效應主要包括閾值電壓隨著溝道長度降低而降低、漏致勢壘降低、載流子表面散射、速度飽和、離子化和熱電子效應。短通道效應 - 維基百科，自由的百科全書 (wikipedia.org)