阿摩線上測驗 登入

申論題資訊

試卷:107年 - 107 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#71146
科目:半導體工程
年份:107年
排序:0

申論題內容

七、「基極寬度調變(base width modulation)效應」為雙極性電晶體(bipolar transistor) 非理想效應(nonideal effects)之其一,請說明導致此效應之原因及其對於電晶體共 射極輸出特性曲線(IC -VCE)之影響?(10 分)

詳解 (共 1 筆)

詳解 提供者:hchungw

是指當雙極性電晶體(BJT)的集極-射極電壓VCE改變,基極-集極空乏寬度WB-C空乏區大小)也會跟著改變。此變化稱為爾利效應,由詹姆斯·M·爾利(James M. Early)所發現。

爾利效應 - 維基百科,自由的百科全書 (wikipedia.org)


613079d521e80.jpg