五、請說明 p-n 接面因外加逆向偏壓、導致接面崩潰（junction breakdown）時，常見之兩種物理機制？（10 分）

四、假設在矽（ Si ）半導體中，其電子濃度依位置 x 變化之分布函數可表示為 n( x) = 1015 e − x / Ln cm − 3 ( x ≥ 0) ，電子之擴散長度（diffusion length） Ln = 10− 4 cm ，電子之擴散率（diffusivity） Dn = 25 cm 2 / s ，單位電量 q = 1.6 × 10 −19 C 。試求在 x = 2 μm 處，電子擴散電流密度 J n = ？（10 分）