(一)就理想的上述金屬/n-型半導體蕭基接面，說明其蕭基位障（Schottky barrier）是由那些物理參數決定？若要形成具有整流特性蕭基接面的條件為何？

四、雙極性接面電晶體（BJT）依據集極–基極接面（當成 x 軸）與射極–基極接面（當成 y 軸）的電壓極性，可以分為四種操作模式，分別是⑴飽和（Saturation）、⑵順向主動（Active）、⑶截止（Cutoff）、以及⑷反轉主動（Inverted）模式。以 pnp 雙極性接面電晶體為例，在 x–y 平面上，以四種象限，寫出上述四種操作模式下的接面極性，畫出基極區少數載子分布圖，並說明之。