三、半導體 PN 接面的崩潰（ breakdown ）有兩種機制分別為累增崩潰（Avalanche breakdown）與曾納崩潰（Zener breakdown）。分別說明這兩種崩潰的物理機制，並由其機制說明崩潰電壓與溫度的關係。（20 分）

四、雙極性接面電晶體（BJT）依據集極–基極接面（當成 x 軸）與射極–基極接面（當成 y 軸）的電壓極性，可以分為四種操作模式，分別是⑴飽和（Saturation）、⑵順向主動（Active）、⑶截止（Cutoff）、以及⑷反轉主動（Inverted）模式。以 pnp 雙極性接面電晶體為例，在 x–y 平面上，以四種象限，寫出上述四種操作模式下的接面極性，畫出基極區少數載子分布圖，並說明之。