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111年 - 111 高等考試_二級_電子工程:電子元件#111039
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題組內容
二、考慮一個金屬/n-型半導體蕭基接面(Schottky contact):
(二)舉出兩種量測蕭基位障的方法並說明之。
其他申論題
(三)由(一)與(二)之結果,當 K = 10 時,求系統之增益邊際(Gain margin)。 (5 分)
#476006
(一)請說明漂移速度(drift velocity) 、飽和速度(saturation velocity) 、與位 移率(mobility)。
#476007
(二)就直接能隙半導體例如 GaAs、InP 與間接能隙半導體例如 Si,分別說 明從低電場到高電場,電子漂移速度如何隨電場變化。
#476008
(一)就理想的上述金屬/n-型半導體蕭基接面,說明其蕭基位障(Schottky barrier)是由那些物理參數決定?若要形成具有整流特性蕭基接面的條件為何?
#476009
三、半導體 PN 接面的崩潰( breakdown )有兩種機制分別為累增崩潰 (Avalanche breakdown)與曾納崩潰(Zener breakdown) 。分別說明這兩種崩潰的物理機制,並由其機制說明崩潰電壓與溫度的關係。(20 分)
#476011
(一)說明 P+N 接面空乏區(depletion region) 、內建電位(built-in potential) 形成的物理原因,並指出空乏區電場的指向。
#476012
(二)以擴散電流理論(diffusion current theory)考慮接面在順偏之下的主要 電流流動過程。請問主要電流為何種電流?說明其流經空乏區、進入 中性區後的物理過程。
#476013
(一)畫出此金屬、氧化物、矽 MOS 系統的平能帶圖(flat band diagram)。 並求此 MOS 系統的平能帶電壓(flat-band voltage)。
#476014
(二)求氧化物電容的值,以 F/cm2 為單位。真空介電係數 ɛ0 = F/cm。 單位電荷 q =C,若在氧化物與矽的介面出現一層面濃度為的正電荷,請問平能帶電壓的變化會如何?
#476015
一、有一反應 A B 在不同溫度、流速和觸媒粒徑的填充床反應器中進行。 結果如下圖所示。1.什麼情況(即條件 dp、T、)受外部傳質限制? 2.什麼情況是反應速率受限的?3.什麼情況是粒徑內部擴散受限的? 4.在 T = 400 K 和 dp = 0.8 cm 時的內部效率因子(internal effectiveness factor)是多少?(25 分) T:反應溫度;-r'A:反應速率;dp:觸媒粒徑;:反應物莫爾進料流量
#476016