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112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#118133
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申論題
試卷:112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#118133
科目:半導體工程
年份:112年
排序:0
申論題資訊
試卷:
112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#118133
科目:
半導體工程
年份:
112年
排序:
0
題組內容
五、SiO
2
、S
3
N
4
及 Ta
2
O
5
的相對介電常數(ε
s
)分別約為 3.9、7.6 及 25。
申論題內容
(一)若分別以介電層 Ta
2
O
5
及 SiO
2
作為電容,且 Ta
2
O
5
:SiO
2
之厚度比 2:1、面積比為 3:1,試求其電容比?(5 分)