(一)請輔以數學表示式說明影響半導體「漂移電流密度（drift current density）」之因素為何？（5 分）

六、矽 p-n 接面在 T = 300 K 之施體雜質與受體雜質濃度分別為 ND = 1015 cm-3 及 ND = 1016 cm-3，且未施加電壓；本質載子濃度 ni = 1.5 × 1010 cm-3。試求空乏區寬度及最大電場強度分別為？（20 分） [kT_300K = 0.0259 eV 、單位電量 q = 1.6 × 10-19 C 、介電常數為 11.7ε0(ε0 = 8.85 × 10-14 F/cm)]