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112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#118133
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申論題
試卷：112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#118133
科目：半導體工程
年份：112年
排序：0
申論題資訊
試卷：
112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#118133
科目：
半導體工程
年份：
112年
排序：
0
題組內容
五、SiO
2
、S
3
N
4
及 Ta
2
O
5
的相對介電常數（ε
s
）分別約為 3.9、7.6 及 25。
申論題內容
(二)假設以厚度為 3t 微米之 Ta2O5 作為介電層之電容值為 C1；另以各層厚度均分別為 t 微米之 SiO
2
/S
3
N
4
/SiO
2
作為介電疊層之電容值為 C
2
。假設兩者具有相同面積，試計算 C
1
/C
2
之比值？（10 分）
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