題組內容

三、如下圖所示為一霍爾效應（Hall effect）量測結構，所量測為一半導體薄 膜長方形結構。電流 I 如圖所示，由接點 a 流入，接點 b 流出。磁場 B 為出紙面方向，與薄膜電流方向垂直。由接點 c 與接點 d 量得的電壓為 61b9501031531.jpg；由接點 e 與接點 d 量得的電壓為 61b95028eb86f.jpg。
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(一)若此半導體為 n 型半導體，由電子傳導，問電子會堆積在 e 接點側或 d 接點側？電壓 61b95028eb86f.jpg為正或為負？說明你的理由。若半導體為 p 型半 導體又會如何？（10 分）