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申論題資訊

試卷:110年 - 110 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#104839
科目:半導體工程
年份:110年
排序:0

申論題內容

五、舉出兩種乾式蝕刻(dry etch)法,說明其工作之原理。並說明乾式蝕刻 為何能夠達到具高深寬比的非等向性(anisotropic)蝕刻。(20 分)