題組內容

四、圖四中 NMOS 電晶體之 Vt = 1 V，μ_n•C_ox = 15 μA/V²，W = 50 μm，L = 5 μm，忽略通道調變效應（λ= 0），已知電路中 I_D = 0.3 mA，試問：

(一)電晶體操作於何種工作區？（10 分）