(3) 若此電晶體連接成共源極（common source）型式，請畫圖說明其小訊號等效電路模型（Small signal equivalment circuit models）。（8 分）

一、在溫度 300K 的環境，一 n 型（n–type）矽晶圓，其摻雜磷（Phosphorus）之濃度為 3x1017 atoms/cm3，假設其摻雜之雜質均勻分布於晶圓，同時摻雜雜質完全游離化（complete ionization），有效導帶能態密度（effective density of states in the conduction band）NC=2.86X1019 cm-3 ，有效價帶能態密度（effect density of states in the valence band） NV=2.6X1019cm-3，請計算及畫圖說明此晶圓之費米能階（Fermi level, EF）和導電帶（conduction band,Ec ）最低點之電子伏特（eV）差值。（20 分）（常數 k = 1.38066 X 10-23 J K ）