申論題

一、在溫度 300K 的環境，一 n 型（n–type）矽晶圓，其摻雜磷（Phosphorus）之濃度為 3x10¹⁷ atoms/cm³，假設其摻雜之雜質均勻分布於晶圓，同時摻雜雜質完全游離化 （complete ionization），有效導帶能態密度（effective density of states in the conduction band）NC=2.86X10¹⁹ cm^-3  ，有效價帶能態密度（effect density of states in the valence band） NV=2.6X1⁰¹⁹cm^-3，請計算及畫圖說明此晶圓之費米能階（Fermi level, E_F）和導 電帶（conduction band,E_c ）最低點之電子伏特（eV）差值。（20 分） （常數 k = 1.38066 X 10^-23 J K ）